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| 型号: | DC1806 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | GEC PLESSEY SEMICONDUCTORS |
| 包装说明： | R-CTMW-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最小击穿电压： | 2.5 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 最大二极管电容： | 0.05 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.35 V |
| 频带： | X BAND TO K BAND |
| JESD-30 代码： | R-CTMW-F3 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 |
| 最大工作频率： | 20 GHz |
| 最小工作频率： | 10 GHz |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE |
| 脉冲输入最大功率： | 0.5 W |
| 脉冲输入功率最小值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Microwave Mixer Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | PLANAR DOPED BARRIER |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | TRIPLE |
| 肖特基势垒类型： | ZERO BARRIER |
| Base Number Matches： | 1 |
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