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DG2003DQ-T1产品参数
型号:DG2003DQ-T1
是否无铅: 含铅
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:MSOP
包装说明:TSSOP,
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.84
模拟集成电路 - 其他类型:SPST
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
长度:3 mm
信道数量:1
功能数量:2
端子数量:8
标称断态隔离度:61 dB
最大通态电阻 (Ron):10 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V
标称供电电压 (Vsup):2 V
表面贴装:YES
最长断开时间:37 ns
最长接通时间:47 ns
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3 mm
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