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| 型号: | DG2019DN-T1-E4 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | QCCN, LCC16,.12SQ,20 |
| 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.67 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPDT |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N16 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 正常位置： | NO/NC |
| 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 4 |
| 端子数量： | 16 |
| 标称断态隔离度： | 54 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 3 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 10 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC16,.12SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Multiplexers or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 35 ns |
| 最长接通时间： | 65 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
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