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| 型号: | DG211BDQ-E3 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP16,.25 |
| 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.08 |
| Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPST |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 5 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 负电源电压最大值（Vsup）： | -22 V |
| 负电源电压最小值（Vsup）： | -4.5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 正常位置： | NC |
| 信道数量： | 1 |
| 功能数量： | 4 |
| 端子数量： | 16 |
| 标称断态隔离度： | 90 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 2 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 85 Ω |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出： | SEPARATE OUTPUT |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP16,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5,12/+-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 22 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 200 ns |
| 最长接通时间： | 300 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 4.4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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