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  • 厂家VISHAY 
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  • 厂家VISHAY 
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  • 全新原装现货,低价出售,欢迎询购!
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 专营原装正品量大可定货
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 厂家Vishay 
  • 封装16-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
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  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SOP16 
  • 批号22+ 
  • 现货,原厂原装假一罚十!
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  • 深圳市捷立辉科技有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量29686 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装 
  • 批号21+ 
  • 进口原装现货,公司真实库存ON代理渠道
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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • DG212BDY-E3
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  • 厂家VISHAY(威世) 
  • 封装SOP-16 
  • 批号23+ 
  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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  • DG212BDY图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量1900 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • DG212BDY
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  • 厂家SILICONIX 
  • 封装SO-16 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量29500 
  • 厂家Vishay Siliconix 
  • 封装IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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  • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量6000 
  • 厂家SILICONIX 
  • 封装SOIC-16 
  • 批号23+ 
  • 全新原装公司现货销售
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  • 0755-82772189 QQ:1245773710QQ:867789136
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量11386 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP16 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • DG212BDY图
  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • DG212BDY
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  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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  • DG212BDY图
  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量35085 
  • 厂家SILICONI 
  • 封装SOP16 
  • 批号17+ 
  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
  • QQ:1091796029QQ:1091796029 复制
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  • DG212BDY-E3图
  • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量7536 
  • 厂家Vishay 
  • 封装SOIC-16 
  • 批号23+ 
  • 模拟开关IC绝对进口原装现货
  • QQ:892152356QQ:892152356 复制
  • 0755-82777852 QQ:892152356
  • DG212BDY图
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量99000 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP16 
  • 批号23+ 
  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
  • QQ:1157099927QQ:1157099927 复制
    QQ:2039672975QQ:2039672975 复制
  • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 QQ:1157099927QQ:2039672975
  • DG212BDY-T1-E3图
  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量5000 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SOP16 
  • 批号23+ 
  • 原装现货,假一赔百,支持实单
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    QQ:1807086236QQ:1807086236 复制
  • 755-82533156 QQ:864187665QQ:1807086236
  • DG212BDY图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量19800 
  • 厂家SI 
  • 封装SOP 
  • 批号24+ 
  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
  • QQ:198857245QQ:198857245 复制
  • 0755-82865294 QQ:198857245
  • DG212BDY-T1-E3图
  • 北京顺科电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量5500 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SOP-16 
  • 批号21+ 
  • 进口品牌//国产品牌代理商18911556207
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    QQ:1138731127QQ:1138731127 复制
  • 18911556207 QQ:729566152QQ:1138731127
  • DG212BDY图
  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量4200 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP16 
  • 批号23+ 
  • 全新原装公司现货销售!
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    QQ:1245773710QQ:1245773710 复制
  • 0755-82772189 QQ:867789136QQ:1245773710
  • DG212BDY-E3图
  • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量10000 
  • 厂家VIS威世 
  • 封装 
  • 批号1606270001 
  • 只做品牌原装假一赔十
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  • 0755-84535756 QQ:2903107741
  • DG212BDY-E3图
  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量1560 
  • 厂家SILICONIXVISHAY 
  • 封装NA 
  • 批号21+ 
  • 只做原装正品,深圳现货库存
  • QQ:647176908QQ:647176908 复制
    QQ:499959596QQ:499959596 复制
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  • DG212BDY-T1-E3图
  • 深圳市双微电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量7850 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP16 
  • 批号20+ 
  • 询货请加QQ 全新原装 现货库存
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    QQ:1079402399QQ:1079402399 复制
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  • DG212BDY-TI图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • DG212BDY-TI
  • 数量
  • 厂家 
  • 封装 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
  • QQ:2880824479QQ:2880824479 复制
  • 010-62104891 QQ:2880824479
  • DG212BDY图
  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量5650 
  • 厂家SI 
  • 封装SOP 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量53508 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装NA 
  • 批号23+ 
  • 一站式BOM配单,短缺料找现货,怕受骗,就找昂富电子.
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • DG212BDY-E3
  • 数量6000 
  • 厂家Vishay Siliconix 
  • 封装16-SOIC 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品,假一罚十
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  • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
  • DG212BDY-T1-E3图
  • 深圳市芯必得电子科技有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量90000 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装SOP16 
  • 批号22+ 
  • 只做原装全系列供应可提供技术支持
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 数量20123 
  • 厂家SILICONIX 
  • 封装SOIC-16 
  • 批号2020+ 
  • 优势库存绝对原装现货特价热卖
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  • 86-0755-28767101 QQ:1220223788QQ:1327510916
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量16853 
  • 厂家VISHAY/威世 
  • 封装NA 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
  • QQ:2885348339QQ:2885348339 复制
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  • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
  • DG212BDY图
  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量2015 
  • 厂家VISHAY  
  • 封装DIP/SOP 
  • 批号19889 
  • ★一级代理原装现货,特价热卖!★
  • QQ:2752732883QQ:2752732883 复制
    QQ:240616963QQ:240616963 复制
  • 0755-25165869 QQ:2752732883QQ:240616963
  • DG212BDY-T1-E3图
  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • DG212BDY-T1-E3
  • 数量8560 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装SOP 
  • 批号17+ 
  • 受权代理!全新原装现货特价热卖!
  • QQ:1258645397QQ:1258645397 复制
    QQ:876098337QQ:876098337 复制
  • 0755-83238902 QQ:1258645397QQ:876098337
  • DG212BDY图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • DG212BDY
  • 数量6328 
  • 厂家VISHAY-威世 
  • 封装模拟开关 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥23.3元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025

产品型号DG212BDY的概述

芯片DG212BDY的概述 DG212BDY是一款高性能的双通道模拟开关,由著名的半导体公司在市场上发布。这款芯片属于模拟开关类别,主要应用于音频和视频信号切换、数据采集系统以及其他低功耗信号处理应用。其设计旨在提供透明度高、低失真、高速度和低功耗的解决方案,适用于各种电子设备。 DG212BDY的工作原理基于双极型和MOSFET技术,它利用场效应晶体管(FET)来实现信号的非侵入性切换。这种设计使得信号可以在开关状态下保持高完整性,适合对信号质量要求较高的应用。 芯片DG212BDY的详细参数 DG212BDY的主要参数包括: - 类型: 双通道模拟开关 - 电源电压范围: 1.8V至15V - 输入电压范围: -0.3V至VDD +0.3V - 工作温度范围: -40°C至85°C - 通道组成: 2个单投多路开关 - 输入阻抗: 1.0MΩ - 输出阻抗: 10Ω(在关闭状态下)...

产品型号DG212BDY的Datasheet PDF文件预览

DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
Improved Quad CMOS Analog Switches  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D "22-V Supply Voltage Rating  
D TTL and CMOS Compatible Logic  
D Low On-Resistance—rDS(on): 50 W  
D Low Leakage—ID(on): 20 pA  
D Single Supply Operation Possible  
D Extended Temperature Range  
D Fast Switching—tON: 120 ns  
D Low Charge Injection—Q: 1 pC  
D Wide Analog Signal Range  
D Simple Logic Interface  
D Higher Accuracy  
D Industrial Instrumentation  
D Test Equipment  
D Communications Systems  
D Disk Drives  
D Minimum Transients  
D Reduced Power Consumption  
D Superior to DG211/212  
D Space Savings (TSSOP)  
D Computer Peripherals  
D Portable Instruments  
D Sample-and-Hold Circuits  
DESCRIPTION  
The DG211B/212B analog switches are highly improved  
versions of the industry-standard DG211/212. These devices  
are fabricated in Vishay Siliconix’ proprietary silicon gate  
CMOS process, resulting in lower on-resistance, lower  
leakage, higher speed, and lower power consumption.  
up to "22 V, and have an improved continuous current rating  
of 30 mA. An epitaxial layer prevents latchup.  
All devices feature true bi-directional performance in the on  
condition, and will block signals to the supply levels in the off  
condition.  
These quad single-pole single-throw switches are designed  
for a wide variety of applications in telecommunications,  
instrumentation, process control, computer peripherals, etc. An  
improved charge injection compensation design minimizes  
switching transients. The DG211B and DG212B can handle  
The DG211B is a normally closed switch and the DG212B is  
a normally open switch. (See Truth Table.)  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND PIN CONFIGURATION  
DG211B  
Dual-In-Line, SOIC and TSSOP  
IN  
D
IN  
2
1
1
1
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
TRUTH TABLE  
D
2
Logic  
DG211B  
DG212B  
S
S
2
0
1
ON  
OFF  
ON  
V–  
V+  
OFF  
GND  
V
L
S
3
Logic “0” v 0.8 V  
Logic “1” w 2.4 V  
S
D
4
4
4
D
3
IN  
IN  
3
Top View  
Document Number: 70040  
S-00788—Rev. H, 24-Apr-00  
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4-1  
DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
ORDERING INFORMATION  
Temp Range  
Package  
Part Number  
DG211BDJ  
DG212BDJ  
DG211BDY  
DG212BDY  
DG211BDQ  
DG212BDQ  
16-Pin Plastic DIP  
–40 to 85_C  
16-Pin Narrow SOIC  
16-Pin TSSOP  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Voltages Referenced to V–  
Power Dissipation (Package)b  
16-Pin Plastic DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470 mW  
16-Pin Narrow SOIC and TSSOP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 640 mW  
c
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V  
d
GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 V  
a
Digital Inputs V , V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (V–) –2 V to (V+) +2 V  
S
D
or 30 mA, whichever occurs first  
Notes:  
a. Signals on S , D , or IN exceeding V+ or V– will be clamped by internal  
X
X
X
Current, Any Terminal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 mA  
Peak Current, S or D  
(Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 125_C  
diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.  
b. All leads welded or soldered to PC Board.  
c. Derate 6.5 mW/_C above 75_C  
d. Derate 7.6 mW/_C above 75_C  
SCHEMATIC DIAGRAM (TYPICAL CHANNEL)  
V+  
S
X
V
L
Level  
Shift/  
Drive  
V–  
V+  
IN  
X
D
X
GND  
V–  
FIGURE 1.  
Document Number: 70040  
S-00788—Rev. H, 24-Apr-00  
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4-2  
DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS  
D Suffix  
Test Conditions  
–40 to 85_C  
Unless Otherwise Specified  
V+ = 15 V, V– = –15 V  
e
Parameter  
Symbol  
Tempa  
Minb  
Typc  
Maxb  
Unit  
V
L
= 5 V, V = 2.4 V, 0.8 V  
IN  
Analog Switch  
d
Analog Signal Range  
V
Full  
–15  
15  
V
ANALOG  
85  
100  
Room  
Full  
45  
Drain-Source On-Resistance  
r
DS(on)  
V
D
= "10 V, I = 1 mA  
W
S
r
Match  
Dr  
Room  
2
DS(on)  
DS(on)  
S(off)  
Room  
Full  
–0.5  
–5  
"0.01  
0.5  
5
Source Off Leakage Current  
Drain Off Leakage Current  
Drain On Leakage Current  
Digital Control  
I
V
V
= "14 V, V = #14 V  
S
D
Room  
Full  
–0.5  
–5  
"0.01  
"0.02  
0.5  
5
I
= "14 V, V = #14 V  
nA  
D(off)  
D
S
Room  
Full  
–0.5  
–10  
0.5  
10  
I
V = V = "14 V  
S D  
D(on)  
Input Voltage High  
Input Voltage Low  
Input Current  
V
Full  
Full  
2.4  
–1  
INH  
V
V
0.8  
1
INL  
I
or I  
V
INH  
or V  
INL  
Full  
mA  
INH  
INL  
Input Capacitance  
C
IN  
Room  
5
pF  
Dynamic Characteristics  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
t
Room  
Room  
300  
200  
ON  
V
=10 V  
S
ns  
See Figure 2  
t
OFF  
Charge Injection  
Q
C
L
= 1000 pF, V = 0 V, R = 0 W  
Room  
Room  
Room  
Room  
Room  
Room  
1
5
pC  
g
g
Source-Off Capacitance  
Drain-Off Capacitance  
Channel On Capacitance  
Off Isolation  
C
C
C
S(off)  
V
S
= 0 V, f = 1 MHz  
5
pF  
dB  
D(off)  
D(on)  
V
D
= V = 0 V, f = 1 MHz  
16  
90  
95  
S
OIRR  
C
L
S
= 15 pF, R = 50 W  
L
V
= 1 V  
, f = 100 kHz  
RMS  
Channel-to-Channel Crosstalk  
X
TALK  
Power Supply  
Room  
Full  
10  
50  
Positive Supply Current  
Negative Supply Current  
Logic Supply Current  
I+  
I–  
V
IN  
= 0 or 5 V  
Room  
Full  
–10  
–50  
mA  
Room  
Full  
10  
50  
I
L
Power Supply Range for  
Continuous Operation  
V
OP  
Full  
"4.5  
"22  
V
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DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS FOR SINGLE SUPPLY  
D Suffix  
Test Conditions  
–40 to 85_C  
Unless Otherwise Specified  
V+ = 12 V, V– = 0 V  
e
Parameter  
Analog Switch  
Symbol  
Tempa  
Minb  
Typc  
Maxb  
Unit  
V
L
= 5 V, V = 2.4 V, 0.8 V  
IN  
d
Analog Signal Range  
V
Full  
0
12  
V
ANALOG  
Room  
Full  
90  
160  
200  
Drain-Source On-Resistance  
r
V
D
= 3 V, 8 V, I = 1 mA  
W
DS(on)  
S
Dynamic Characteristics  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
t
Room  
Room  
300  
200  
ON  
V
= 8 V  
S
ns  
See Figure 2  
= 1 nF, V = 6 V, R = 0 W  
gen  
t
OFF  
Q
Charge Injection  
C
L
Room  
4
pC  
gen  
Power Supply  
Room  
Full  
10  
50  
Positive Supply Current  
Negative Supply Current  
Logic Supply Current  
I+  
I–  
V
IN  
= 0 or 5 V  
Room  
Full  
–10  
–50  
mA  
Room  
Full  
10  
50  
I
L
Power Supply Range for  
Continuous Operation  
V
OP  
Full  
)4.5  
)25  
V
Notes:  
a. Room = 25_C, Full = as determined by the operating temperature suffix.  
b. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum, is used in this data sheet.  
c. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.  
d. Guaranteed by design, not subject to production test.  
e.  
V
IN  
= input voltage to perform proper function.  
TYPICAL CHARACTERISTICS (_2C5 UNLESS NOTED)  
r
vs. V and Power Supply Voltages  
DS(on)  
D
r
vs. V and Temperature  
DS(on)  
D
110  
100  
90  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
V+ = 15 V  
V– = –15 V  
"5 V  
80  
70  
125_C  
85_C  
25_C  
"10 V  
"15 V  
60  
50  
–55_C  
40  
30  
"20 V  
20  
10  
–15  
–10  
–5  
V
0
5
10  
15  
–20 –16 –12 –8 –4  
0
4
8
12 16 20  
– Drain Voltage (V)  
V
D
– Drain Voltage (V)  
D
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4-4  
DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
TYPICAL CHARACTERISTICS (_2C5 UNLESS NOTED)  
r
vs. V and Single Power Supply Voltages  
Leakage Currents vs. Analog Voltage  
DS(on)  
D
250  
40  
30  
V+ = 22 V  
V– = –22 V  
V+ = 5 V  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
T
A
= 25_C  
20  
10  
I
D(on)  
7 V  
I
, I  
S(off) D(off)  
0
10 V  
12 V  
–10  
15 V  
–20  
–30  
50  
25  
–40  
0
–20 –15 –10 –5  
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
V
D
– Drain Voltage (V)  
V
ANALOG  
– Analog Voltage (V)  
Q
Q – Charge Injection vs. Analog Voltage  
D
Leakage Current vs. Temperature  
S,  
1 nA  
30  
V+ = 15 V  
V– = –15 V  
= "14 V  
V
V
D
S,  
20  
10  
100 pA  
V+ = 15 V  
V– = –15 V  
0
V+ = 12 V  
V– = 0 V  
I
, I  
S(off) D(off)  
–10  
–20  
–30  
10 pA  
1 pA  
–15  
–10  
V
–5  
0
5
10  
15  
–55 –35 –15  
5
25  
45  
65  
85 105 125  
– Analog Voltage (V)  
Temperature (_C)  
ANALOG  
Off Isolation vs. Frequency  
120  
V+ = +15 V  
V– = –15 V  
110  
100  
90  
R = 50 W  
L
80  
70  
60  
50  
40  
10 k  
100 k  
1 M  
10 M  
f – Frequency (Hz)  
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DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
TEST CIRCUITS  
+15 V  
3 V  
0 V  
V+  
Logic  
Input  
t <20 ns  
t <20 ns  
f
50%  
r
S
D
V
S
= +2 V  
3 V  
V
O
t
IN  
OFF  
C
35 pF  
R
1 kW  
L
L
V–  
GND  
90%  
Switch  
Output  
V
O
t
–15 V  
ON  
R
L
V
O
= V  
S
R
L
+ r  
DS(on)  
FIGURE 2. Switching Time  
C
+15 V  
+15 V  
V+  
C
V+  
S
D
D
V
S
1
1
R
g
= 50 W  
V
R
O
S
D
50 W  
V
S
IN  
1
R
g
= 50 W  
0V, 2.4 V  
NC  
V
O
L
S
2
2
IN  
0V, 2.4 V  
R
L
GND  
V–  
C
IN  
2
0V, 2.4 V  
GND  
V–  
C
C = RF bypass  
Isolation = 20 log  
–15 V  
V
S
X
V
TALK  
S
V
O
–15 V  
Off Isolation = 20 log  
V
O
FIGURE 3. Off Isolation  
FIGURE 4. Channel-to-Channel Crosstalk  
+15 V  
V+  
DV  
O
V
O
R
g
S
D
V
O
IN  
V
g
C
ON  
OFF  
ON  
IN  
X
L
3 V  
1000 pF  
V–  
GND  
DV = measured voltage error due to charge injection  
O
The charge injection in coulombs is Q = C x DV  
L
O
–15 V  
FIGURE 5. Charge Injection  
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DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
APPLICATIONS  
+ 5 V  
+15 V  
V
L
V+  
Logic Input  
Low = Sample  
High = Hold  
1 kW  
+15 V  
DG211B  
+15 V  
–15 V  
J202  
LM101A  
2N4400  
V
IN  
+
5 MW  
5.1 MW  
50 pF  
200 W  
V
OUT  
1000 pF  
J507  
V–  
J500  
30 pF  
–15 V  
Aquisition Time  
Aperature Time  
Sample to Hold Offset  
Droop Rate = 5 mV/s  
= 25 ms  
= 1 ms  
= 5 mV  
–15 V  
FIGURE 6. Sample-and-Hold  
+15 V  
160  
120  
80  
V
1
C
C
4
f
150 pF  
3
C4  
Select  
f
C3  
1500 pF  
Select  
C
2
TTL  
Control  
0.015 mF  
f
C1  
f
C2  
f
C3  
f
C4  
f
C2  
40  
Select  
C
1
0.15 mF  
f
C1  
f
L1  
f
L2  
f
L3  
f
L4  
Select  
0
DG211B  
V–  
GND  
–40  
1
10  
100  
1 k  
10 k  
100 k  
1 M  
–15 V  
+15 V  
Frequency – Hz  
R
= 1 MW  
3
R
3
A
(Voltage Gain Below Break Frequency) =  
= 100 (40 dB)  
L
–15 V  
R
1
1
V
OUT  
R
1
= 10 kW  
f
(Break Frequency) =  
C
LM101A  
2pR C  
3
X
1
+
f
L
(Unity Gain Frequency) =  
2pR C  
1
X
r
DS(on)  
R
2
= 10 kW  
[ –47 dB  
30 pF  
Max Attenuation =  
10 kW  
FIGURE 7. Active Low Pass Filter with Digitally Selected Break Frequency  
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4-7  
DG211B/212B  
Vishay Siliconix  
APPLICATIONS  
+5 V  
+15 V  
V+  
30 pF  
+15 V  
V
L
V
V
IN1  
+
LM101A  
IN2  
+15 V  
R
18 kW  
R
R
F3  
100 kW  
DG419  
F1  
F2  
9.9 kW  
–15 V  
DG212B  
CH  
GND  
V–  
–15 V  
R
2 kW  
R
100 W  
R
G3  
100 W  
G1  
G2  
Gain 1 (x1)  
R
F
+ R  
G
Gain =  
Gain 2 (x10)  
R
G
Gain 3 (x100)  
Gain 4 (x1000)  
V–  
GND  
Logic High = Switch On  
–15 V  
FIGURE 8. A Precision Amplifier with Digitally Programable Input and Gains  
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4-8  
配单直通车
DG212BDY产品参数
型号:DG212BDY
生命周期:Transferred
IHS 制造商:TEMIC SEMICONDUCTORS
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.57
Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:SPST
JESD-30 代码:R-PDSO-G16
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
信道数量:1
功能数量:4
端子数量:16
标称断态隔离度:90 dB
通态电阻匹配规范:2 Ω
最大通态电阻 (Ron):85 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified
最大供电电流 (Isup):0.05 mA
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
最长接通时间:1000 ns
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
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