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DG4157DN-T1-E4产品参数
型号:DG4157DN-T1-E4
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:QFN
包装说明:VSON, SOLCC6,.04,16
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.82
模拟集成电路 - 其他类型:SPDT
JESD-30 代码:R-PDSO-N6
JESD-609代码:e4
长度:1.2 mm
湿度敏感等级:1
信道数量:1
功能数量:1
端子数量:6
标称断态隔离度:31 dB
通态电阻匹配规范:0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron):2.5 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSON
封装等效代码:SOLCC6,.04,16
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:0.6 mm
子类别:Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
最长断开时间:30 ns
最长接通时间:60 ns
切换:BREAK-BEFORE-MAKE
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子节距:0.4 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:1 mm
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