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| 型号: | DG507BEN-T1-GE3 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | QLCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC28,.5SQ |
| 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.78 |
| Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1279457 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1279457 |
| Samacsys PartID： | 1279457 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/DG507BEN-T1-GE3.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/DG507BEN-T1-GE3.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 28 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Plastic Leaded Chip Carrier |
| Samacsys Footprint Name： | PLCC_28_1 |
| Samacsys Released Date： | 2018-07-11 10:36:32 |
| Is Samacsys： | N |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J28 |
| 长度： | 11.5062 mm |
| 负电源电压最大值（Vsup）： | -20 V |
| 负电源电压最小值（Vsup）： | -5 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 信道数量： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 |
| 标称断态隔离度： | 84 dB |
| 通态电阻匹配规范： | 10 Ω |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 300 Ω |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC28,.5SQ |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 12/+-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大信号电流： | 0.03 A |
| 子类别： | Multiplexer or Switches |
| 最大供电电流 (Isup)： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 20 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES |
| 最长断开时间： | 220 ns |
| 最长接通时间： | 310 ns |
| 切换： | BREAK-BEFORE-MAKE |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 11.5062 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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