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| 型号: | DG613J |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | VISHAY SILICONIX |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.68 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | SPST |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T |
| JESD-609代码： | e0 |
| 信道数量： | 4 |
| 功能数量： | 1 |
| 最大通态电阻 (Ron)： | 45 Ω |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 21 V |
| 表面贴装： | NO |
| 最长接通时间： | 35 ns |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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