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  • DHD100N10图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • DHD100N10
  • 数量85000 
  • 厂家台产中低压MOS管 
  • 封装TO-220TO-263 
  • 批号22+ 
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DHD1100AMT1B产品参数
型号:DHD1100AMT1B
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ADVANCED MICRO DEVICES INC
零件包装代码:PGA
包装说明:IPGA, SPGA453,37X37
针数:453
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.A.2
HTS代码:8473.30.11.80
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
地址总线宽度:13
位大小:32
边界扫描:YES
最大时钟频率:100 MHz
外部数据总线宽度:64
格式:FLOATING POINT
集成缓存:YES
JESD-30 代码:S-CPGA-P453
长度:49.53 mm
低功率模式:YES
端子数量:453
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:IPGA
封装等效代码:SPGA453,37X37
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, INTERSTITIAL PITCH
电源:1.75,2.5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.43 mm
速度:1100 MHz
子类别:Microprocessors
最大供电电压:1.8 V
最小供电电压:1.7 V
标称供电电压:1.75 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR
宽度:49.53 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型:MICROPROCESSOR
Base Number Matches:1
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