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| 型号: | DM86LS62N |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | DUAL RANK SHIFT REGISTER; SUPPORTS PARALLEL TRANSFER & EXCHANGE BETWEEN A & B REGISTERS |
| 计数方向： | RIGHT |
| 系列： | TTL/H/L |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 21.78 mm |
| 负载电容（CL）： | 15 pF |
| 逻辑集成电路类型： | PARALLEL IN PARALLEL OUT |
| 最大频率@ Nom-Sup： | 25000000 Hz |
| 位数： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 99 mA |
| 传播延迟（tpd）： | 48 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Shift Registers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型： | POSITIVE EDGE |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 最小 fmax： | 25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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