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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装SOT-523 
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装SOD523 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 深圳市誉兴微科技有限公司

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  • 封装SOT-523 
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  • 封装SOT-523-3 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 0755-82570683 QQ:2853992132
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 数量7695 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT523 
  • 批号2023+ 
  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装SOT-523 
  • 批号最新批号 
  • 全新原装假一贴十!
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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-523 
  • 批号最新批号 
  • 原装现货零成本有接受价格就出
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  • 0755-84876394 QQ:840638855
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  • 深圳市锦喆鸿电子有限公司

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  • 数量12580 
  • 厂家DIODES INCORPORATED 
  • 封装 
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  • C08-场效应管
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  • 0755-82340907 QQ:1140102928QQ:2280368056
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-523-3 
  • 批号2021+ 
  • 一片起送货上门----服务客户超万家
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量9560 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装SOT-523 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 0755-22968581 QQ:2881498351
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • DMG1013T-7
  • 数量2625 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT523 
  • 批号1541+ 
  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • 数量1062000 
  • 厂家Diodes Zetex 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
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  • 数量29500 
  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 
  • 批号21+ 
  • 只做原装现货代理
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产品型号DMG1013T-7的概述

芯片DMG1013T-7的概述 DMG1013T-7是一种由异质结工艺制作的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、信号放大以及其它电子电路中。该芯片因其优越的电气特性和良好的热性能,成为了许多设计工程师青睐的选择。其小巧的封装使其适用于高密度设计,尤其在消费电子、通信设备和工业应用领域,展现了良好的性能。 DMG1013T-7具有低导通电阻和快速开/关切换...
配单直通车
DMG1013T-7产品参数
型号:DMG1013T-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.6
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:268517
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:DMG1013T-7-1
Samacsys Released Date:2017-08-30 22:51:46
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.46 A
最大漏极电流 (ID):0.46 A
最大漏源导通电阻:0.7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.27 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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