芯片DMG1016UDW-7的概述
DMG1016UDW-7是一种高效能的N沟道MOSFET,广泛应用于低压功率管理和信号开关等领域。由于其出色的电气性能,DMG1016UDW-7被许多电子设备制造商所青睐。MOSFET(场效应晶体管)是一种利用电场效应控制电流流动的器件,常用于开关电路和放大电路。DMG1016UDW-7特别适合应用于低功率的电子设备,以实现高效能和小尺寸设计。
DMG1016UDW-7的详细参数
DMG1016UDW-7的主要参数包括以下几个方面:
1. 最大漏极源极电压(V_DS): 20V 2. 最大漏极电流(I_D): 6.6A 3. 静态栅极电压(V_GS): ±12V 4. 栅极阈值电压(V_GS(th)): 1V到3V 5. R_DS(on): 16 mΩ(在V_GS = 10V时) 6. 开关时间: 在复杂电路中,DMG1016UDW-7的开关时间(Turn-on Time和Turn-off Time)非常短,有助于提升整体电路效率。 7. 封装类型: SOT-23封装 8. 工作温度范围: -55°C到+150°C
这些参数使DMG1016UDW-7在功率开关和电源管理系统中表现出色,尤其在节能应用和小型电子设备中具有明显的优势。
DMG1016UDW-7的厂家、包装和封装
DMG1016UDW-7由Diodes Incorporated制造,该公司专注于提供多种半导体解决方案,特别是在功率管理和信号处理领域。DMG1016UDW-7采用SOT-23封装,这种封装因其小型化和效率高而被广泛应用于现代电子产品。SOT-23封装的尺寸约为2.9mm x 1.3mm,非常适合空间受限的设备。
关于包装,DMG1016UDW-7通常以卷带(Tape and Reel)形式提供,适合自动贴片生产线。这样的包装形式不仅能提高生产效率,还能降低损耗。每卷带的数量通常为3000个或更多,满足大规模生产的需求。
DMG1016UDW-7的引脚和电路图说明
DMG1016UDW-7的引脚配置如下:
1. 引脚1(Gate): 控制引脚,连接到驱动电路以控制MOSFET的开关状态。 2. 引脚2(Drain): 漏极引脚,连接到负载电路。 3. 引脚3(Source): 源极引脚,通常连接到地(GND)或负极。
其引脚图如下所示:
+---------+ G | 1 3 | S D | 2 3 | +---------+
在实际电路中,DMG1016UDW-7的引脚连接必须精确,以确保MOSFET正常工作。栅极(Gate)引脚的电压直接影响漏极(Drain)和源极(Source)之间的电流流动。有效的控制策略将确保DMG1016UDW-7在最佳工作状态下运行,从而实现高效的电源管理。
DMG1016UDW-7的使用案例
DMG1016UDW-7被广泛应用于诸如电源管理、LED驱动器、电机控制和其他需要高效开关的场合。
1. 电源管理系统: 在电源适配器和开关电源中,DMG1016UDW-7可作为主要开关元件,以提高转换效率。通过控制栅极信号,MOSFET可以迅速切换,最大限度地减少开关损耗。
2. LED驱动器: 在LED照明应用中,使用DMG1016UDW-7可以有效控制LED的开关,提升调光性能。通过调节栅极电压,可以实现不同的亮度水平。
3. 电机控制: 在直流电机驱动电路中,DMG1016UDW-7能够高效地控制电机的启停和速度调节。其高效的开关特性确保了电机运行时的电能利用率大幅提高。
4. 便携式设备: 在移动设备和便携式电子产品中,DMG1016UDW-7被广泛应用于电源开关电路,以减少功耗并延长待机时间。
5. DC-DC转换器: DMG1016UDW-7在降压和升压转换器中应用广泛,能够帮助实现高效率的电能转换,优化系统能耗。
在实际应用中,设计工程师需要仔细考量DMG1016UDW-7的工作特性、负载要求及输入电源条件,以确保电路的稳定性和高效性。设计时可以借助电路模拟软件进行不同配置下的性能测试,找到最佳的方案以提升整个系统的效率。
随着应用领域的不断扩展,DMG1016UDW-7凭借其高效的电气特性,为现代电子产品的发展提供了强大支持。
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型号: | DMG1016UDW-7 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | DIODES INC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.6 |
Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released |
2D Presentation: | https://componentsearchengine.com/2D/0T/268516.3.1.png |
Schematic Symbol: | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=268516 |
PCB Footprint: | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=268516 |
3D View: | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=268516 |
Samacsys PartID: | 268516 |
Samacsys Image: | https://componentsearchengine.com/Images/9/DMG1016UDW-7.jpg |
Samacsys Thumbnail Image: | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/3/DMG1016UDW-7.jpg |
Samacsys Pin Count: | 6 |
Samacsys Part Category: | Transistor |
Samacsys Package Category: | SOT23 (6-Pin) |
Samacsys Footprint Name: | SOT-363_1 |
Samacsys Released Date: | 2018-06-05 14:12:54 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.066 A |
最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.33 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.33 W |
认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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