DMG2307L-7芯片概述
DMG2307L-7是一款高效的n沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中的功率管理和开关应用。该芯片具备卓越的开关特性、低导通电阻和较高的耐压性能,使其在多个领域中展现出良好的适应性。其主要应用包括直流-直流(DC-DC)转换器、马达驱动、电源管理系统及其他多个电力电子应用。
DMG2307L-7的详细参数
DMG2307L-7的诸多参数提供了其在电力电子领域应用的基础。以下为该器件的主要参数:
- 最大漏极-源极电压 (V_DS): 30V - 最大漏极电流 (I_D): 10A - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.045Ω (V_GS = 10V) - 栅极-源极阈值电压 (V_GS(th)): 1V 至 3V - 最大功耗 (P_D): 2W (在适当的散热条件下) - 工作温度范围: -55°C至+150°C - 封装类型: SOT-23 - 引脚数: 3
这些参数的设计考虑了实际应用中的负载要求,以确保在高负载情况下设备的稳定性和可靠性。
芯片DMG2307L-7的厂家、包装及封装
DMG2307L-7由Vishay公司生产。Vishay是一家在分立半导体元件和被动元件制造方面具有全球影响力的公司,其产品广泛应用于工业、电信和消费电子等领域。在出厂时,该芯片通常以“带卷包装”形式提供,方便进行自动化贴片和焊接。此外,DMG2307L-7采用SOT-23封装,这种封装形式使得其在体积上相对紧凑,便于集成入各种电路板中。
引脚和电路图说明
DMG2307L-7具有3个引脚,分别是:
1. 源极 (S): 连接至负载的负极,通常接地。 2. 漏极 (D): 连接至负载的正极,电源供应或者驱动电路。 3. 栅极 (G): 控制引脚,通过施加电压来打开或关闭MOSFET。
在电路图中,DMG2307L-7通常被标示为一个三端器件,V_GS的变化决定了器件的开启或关闭状态。电路连接示例如下:
+V | R_LOAD | D ------ |DMG2307L-7 ------ S | GND
使用案例
在现代电子设计中,DMG2307L-7被应用于多种场合。以下是几个具体的使用案例说明该芯片的灵活性与实用性。
1. DC-DC转换器
DMG2307L-7常用于DC-DC转换器的开关元件。在Buck转换器中,该MOSFET可以作为主开关元件,控制功率传递的效率。通过用PWM信号调制其栅极,转换器能够以高频率工作,从而实现有效的电压和电流转换。其低导通电阻保证了高效率,减少热量的产生,延长设备的使用寿命。
2. 电动机驱动
在电机控制电路中,DMG2307L-7作为H桥电路的一部分发挥关键作用。通过控制栅极电压,可以快速切换电机的旋转方向和速度。例如,在直流电机驱动电路中,利用多个DMG2307L-7管来实现正反转控制,配合PWM技术实现电机的精确控制。
3. 电源管理
在电源管理系统中,DMG2307L-7广泛应用于开关电源(SMPS)和电池管理系统。其低导通电阻特性使得在高负载下也能保持高效能。在电池管理系统中,DMG2307L-7可以用于充放电开关,通过PWM调节实现电池的安全及高效充电和放电。
4. 便携式设备
现代便携式电子设备频繁使用DMG2307L-7作为功率开关,以控制设备的待机与工作状态。设备在待机时,通过关闭MOSFET,极大降低功耗,延长电池的寿命。再如,智能手机中的电源管理芯片,有效控制电源流向各个模块,以保持设备的长时运行。
应用优势
DMG2307L-7作为一个功率MOSFET,其优势在于能够适应高频、高效的开关操作,适用于多种电力电子应用。同时,它的较小封装让设计师在进行小型化设计时有了更多的选择。此外,Vishay作为制造商,提供的技术支持以及广泛的市场反馈,使得该产品拥有良好的市场接受度和成熟度。
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型号: | DMG2307L-7 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended |
IHS 制造商: | DIODES INC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 22 weeks |
风险等级: | 7.14 |
Samacsys Description: | P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 Diodes Inc DMG2307L-7 P-channel MOSFET Transistor, -2 A, -30 V, 3-Pin SOT23 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.134 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.9 W |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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