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DMG4800LFG-7产品参数
型号:DMG4800LFG-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DFN
包装说明:GREEN, PLASTIC, CASE DFN3030-8, 8 PIN
针数:8
制造商包装代码:CASE DFN3030-8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.62
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7.44 A
最大漏极电流 (ID):7.44 A
最大漏源导通电阻:0.017 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-N5
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.94 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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