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DMN2230U-7产品参数
型号:DMN2230U-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:19 weeks
风险等级:1.64
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/441037.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=441037
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=441037
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=441037
Samacsys PartID:441037
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/DMN2230U-7.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/DMN2230U-7.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT23-1
Samacsys Released Date:2019-07-25 02:39:10
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.11 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):30 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.6 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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