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  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • 封装原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
  • QQ:198857245QQ:198857245 复制
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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 批号▉▉:2年内 
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产品型号DMN3404L-7的产品参数和DMN3404L-7的使用说明

DMN3404L-7概述

DMN3404L-7是一款N沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要用于开关和放大应用。MOSFET因其低导通电阻、高速开关能力和较低的功耗,在现代电子设备中得到了广泛应用。DMN3404L-7的设计能够有效降低开关损耗,使其非常适合于各种电源管理和信号放大应用。

详细参数

DMN3404L-7的主要规格参数包括:

- V_DS(漏极-源极电压): 30V - I_D(漏极电流): 4.5A - R_DS(on)(导通电阻): 0.065Ω;在V_GS为10V时 - V_GS(栅极-源极电压): 在-20V到20V范围内 - P_D(功耗参数): 体积较小,允许功耗通常为1W(取决于应用条件) - T_j(结温): 最高可承受150°C

这些参数使DMN3404L-7在负载条件变化情况下能够提供稳定的性能,并能够在较宽的温度范围内安全地工作。

厂家、包装及封装

DMN3404L-7由DIODE公司(Diodes Incorporated)生产。该公司致力于提供一系列创新的半导体产品,针对消费电子、汽车电子和工业应用等多领域。供应的封装类型为SOT-23,这是表面贴装组件中最常见的一种,具有较小的尺寸和较高的集成度,适合现代电子设备的小型化要求。

通常,在批量生产中,DMN3404L-7的包装也提供不同形式选择,例如每盘或每卷,方便自动化设备进行贴片作业。

引脚布局与电路图说明

DMN3404L-7的引脚描述如下:

- 引脚1(G,Gate): 栅极,与控制电路连接,接收开关信号。 - 引脚2(D,Drain): 漏极,通电后承受负载电流。 - 引脚3(S,Source): 源极,通常与地相连,是电流的流出点。

![DMN3404L-7引脚示意图](https://example.com/dmn3404l-7-pins)

在典型应用电路中,DMN3404L-7可以配置为低侧开关。这一配置中,源极连接到地,漏极连接至负载,而栅极通过一个适当的电压控制其开启或关闭。如下所示的电路图展示了DMN3404L-7在一款LED驱动电路中的应用:

![DMN3404L-7电路图](https://example.com/dmn3404l-7-schematic)

使用案例

DMN3404L-7在许多实际应用中均展现出其优异的性能,以下是几个典型案例:

1. LED驱动电路:在LED光源的驱动应用中,DMN3404L-7可以用作开关,负责控制LED的电源。通过调节栅极电压,可以精确控制LED的亮度,这一特性使其在照明领域得到了广泛应用。基于此MOSFET的电路能够实现高亮度、高效率的LED照明系统,特别是在需要进行调光的环境中。

2. 电动工具开关电路:在电动工具中,DMN3404L-7作为低侧开关能够精确控制电动马达的启停,提升工具的操作性与安全性。由于其快速开关特性,能够降低电动马达启动时的涌流。

3. 电源管理:在开关电源(SMPS)设计中,DMN3404L-7能够作为开关元件,负责在不同的负载条件下高效地转化电流,从而提升电源的效率。这种配置通常用于消费者电子产品和工业设备,满足对持续功率和转换效率的高需求。

4. 电池管理系统:在电池充放电管理中,DMN3404L-7可以用作安全开关。当系统检测到过温或电流过载时,该MOSFET可以迅速切断电源,保护电池及设备的安全。

以上应用展示了DMN3404L-7的多功能性及在现代电子设备中不可或缺的作用。借助其出色的电气性能和小巧封装,设计人员可以在各种产品中实现高效、可靠和成本效益的解决方案。

配单直通车
DMN3404L-7产品参数
型号:DMN3404L-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:0.88
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.8 A
最大漏极电流 (ID):5.8 A
最大漏源导通电阻:0.028 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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