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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 原厂原装假一赔十
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  • 深圳市美思瑞电子科技有限公司

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 全新原装现货,欢迎询购!
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  • 深圳市集创讯科技有限公司

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  • 数量35000 
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  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 封装SOT-23-3 
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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量12736 
  • 厂家DIODES 
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量10000 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT523 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品,假一罚十
  • QQ:2880824479QQ:2880824479 复制
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  • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量83500 
  • 厂家DIODES-美台 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 数量5787 
  • 厂家Diodes 
  • 封装原厂封装 
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  • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
  • QQ:1686616797QQ:1686616797 复制
    QQ:2440138151QQ:2440138151 复制
  • 0755-22655674 QQ:1686616797QQ:2440138151
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家DIODES-美台 
  • 封装SOT-23.贴片 
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  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家DIODES-美台 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥4.3元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 数量1560 
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  • 封装SOT-23-3 
  • 批号21+ 
  • 只做原装正品,深圳现货库存
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  • 0755-83228296 QQ:647176908QQ:499959596
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量98500 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-88917743 QQ:2881495751
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装SOT23 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
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  • 封装SOT23 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家DIODESINC 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量3000 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 0755-22968581 QQ:2881498351
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 数量5800 
  • 厂家DIODES 
  • 封装SOT23 
  • 批号2024+ 
  • 全新原装现货,杜绝假货。
  • QQ:3003653665QQ:3003653665 复制
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量82000 
  • 厂家DIODES/美台 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
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  • 封装SOT23-3 
  • 批号22+ 
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 封装SOT-23-3 
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产品型号DMN601K-7的概述

DMN601K-7芯片概述 DMN601K-7是一款广泛应用于现代电子设备中的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于降低开关损耗和提高电源效率。这款MOSFET以其低导通电阻和高开关速度而受到设计工程师的青睐,适合在各种电源管理和开关电路中使用。 DMN601K-7详细参数 DMN601K-7的主要参数包括最大漏极到源极电压(V_DS)、最大漏极电流(I_D)、导通电阻(R_DS(on))等。根据其技术规格,这款器件的最大V_DS为60V,能够承受较高的工作电压。同时,其最大I_D可达到30A,这使得它适合用于高电流应用。 其R_DS(on)在10V的栅极驱动下处于一个非常低的水平,通常为0.045Ω。这一特性使得它在工作时能够减少能量损耗,提高整体能效。该芯片的栅极阈值电压(V_GS(th))约为2V到4V,确保在较低电压下开始导通。 其他重要参数还包括: - ...

产品型号DMN601K-7的Datasheet PDF文件预览

DMN601K  
Lead-free Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
SOT-23  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
D
Fast Switching Speed  
B
C
B
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Up To 2kV  
"Green" Device (Note 4)  
TOP VIEW  
C
G
S
D
G
E
D
H
E
G
H
K
M
Mechanical Data  
J
L
J
·
·
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
K
Drain  
L
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
a
All Dimensions in mm  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: See Last Page  
Gate  
ESD protected up to 2kV  
Ordering & Date Code Information: See Last Page  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
EQUIVALENT CIRCUIT  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
Units  
60  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
VGSS  
±20  
300  
800  
Continuous  
Pulsed (Note 3)  
ID  
mA  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
350  
357  
mW  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width £10mS, Duty Cycle £1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30652 Rev. 2 - 2  
1 of 4  
DMN601K  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
BVDSS  
IDSS  
VGS = 0V, ID = 10mA  
VDS = 60V, VGS = 0V  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
60  
¾
¾
¾
¾
¾
V
mA  
mA  
1.0  
±10  
IGSS  
¾
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 0.5A  
VGS = 5V, ID = 0.05A  
VDS =10V, ID = 0.2A  
VGS(th)  
RDS (ON)  
|Yfs|  
1.0  
¾
1.6  
2.5  
V
W
¾
¾
2.0  
3.0  
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transfer Admittance  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
80  
¾
¾
ms  
Ciss  
Coss  
Crss  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
50  
25  
pF  
pF  
pF  
VDS = 25V, VGS = 0V  
f = 1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
5.0  
Notes:  
5. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
1.4  
1.00  
0.10  
0.01  
VGS = 10V  
8V  
6V  
5V  
4V  
3V  
VDS = 10V  
Pulsed  
10V  
8V  
6V  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
5V  
TA = 125°C  
4V  
TA = 75°C  
TA = 25°C  
TA = -25°C  
3V  
1.5  
1
2
5
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
0
1
2
3
4
5
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 1 Typical Output Characteristics  
2
10  
VGS = 10V  
Pulsed  
VDS = 10V  
ID = 1mA  
Pulsed  
TA = 125°C  
TA = 150°C  
TA = 85°C  
1.5  
1
1
TA = -55°C  
TA = -25°C  
TA = 0°C  
TA = 25°C  
0.5  
0
0.1  
0.001  
-25  
75 100  
0
25  
50  
125 150  
-50  
0.1  
1
0.01  
Tch, CHANNEL TEMPERATURE (°C)  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance  
Vs. Drain Current  
Fig. 3 Gate Threshold Voltage  
vs. Channel Temperature  
DS30652 Rev. 2 - 2  
2 of 4  
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DMN601K  
10  
7
6
5
4
VGS = 5V  
Pulsed  
TA = 25°C  
Pulsed  
TA = 85°C  
TA = 125°C  
ID = 300mA  
TA = 150°C  
1
TA = -55°C  
3
2
1
TA = 0°C  
TA = 25°C  
TA = -25°C  
ID = 150mA  
0.1  
0
1
0.1  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
0.001  
0.01  
4
8
16 18  
2
6
10 12 14  
20  
0
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 5 Static Drain-Source On-Resistance  
vs. Drain Current  
Fig. 6 Static Drain-Source On-Resistance  
vs. Gate-Source Voltage  
2.5  
2
1
VGS = 0V  
Pulsed  
VGS = 10V  
Pulsed  
ID = 300mA  
TA = 125°C  
TA = 150°C  
ID = 150mA  
0.1  
TA = 85°C  
TA = 25°C  
1.5  
1
TA = 0°C  
0.01  
TA = -25°C  
0.5  
0
TA = -55°C  
0.001  
-75  
0
25 50 75  
150  
100 125  
-50 -25  
0.5  
1
0
1.5  
Tch, CHANNEL TEMPERATURE (°C)  
VSD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)  
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance  
vs. Channel Temperature  
Fig. 8 Reverse Drain Current  
vs. Source-Drain Voltage  
1
1
VGS = 10V  
Pulsed  
VGS = 10V  
TA= 25°C  
Pulsed  
TA = 25°C  
0.1  
0.01  
TA = 150°C  
0.1  
0.01  
TA = -55°C  
TA = 85°C  
VGS = 0V  
0.001  
0.001  
0
0.5  
1
1
0.001  
0.01  
0.1  
VSD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
Fig.10 Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
Fig. 9 Reverse Drain Current  
vs. Source-Drain Voltage  
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DMN601K  
(Note 6)  
Ordering Information  
Device  
Packaging  
Shipping  
DMN601K-7  
SOT-23  
3000/Tape & Reel  
Notes:  
6. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
Marking Information  
K7K = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year ex: S = 2005  
M = Month ex: 9 = September  
K7K  
Date Code Key  
Year  
2005  
2006  
2007  
2008  
2009  
Code  
S
T
U
V
W
Month  
Code  
Jan  
Feb  
March  
Apr  
May  
Jun  
Jul  
Aug  
Sep  
Oct  
Nov  
Dec  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
O
N
D
DS30652 Rev. 2 - 2  
4 of 4  
DMN601K  
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配单直通车
DMN601K-7产品参数
型号:DMN601K-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.57
其他特性:LOW CAPACITANCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.3 A
最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
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