DMP2035U-7芯片概述
DMP2035U-7是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),设计用于高效率的电力管理应用。该芯片的主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和优异的热特性,使其在各种电子设备中得到了广泛应用。这种晶体管广泛应用于开关电源、直流电机驱动、照明控制和家庭电器中,成为电子工程师和设计师们的重要选择。
DMP2035U-7的设计旨在实现高效的能量转换和管理,尤其是在低电压高电流的场合。随着电力密度的增加和对能效的要求加剧,DMP2035U-7能够满足现代电子设备日益增长的性能需求,展现出其在市场上的竞争优势。
DMP2035U-7的详细参数
DMP2035U-7的参数特点使其在众多应用中显得尤为突出。以下是其详细的技术参数:
- 最大漏源电压(V_DS): 30V - 最大连续漏电流(I_D): 35A - 最大脉冲漏电流(I_D, pulsed): 110A - 导通电阻(R_DS(on)): ≤ 10 mΩ @ V_GS = 10V - 最大栅极源电压(V_GS): ±20V - 工作温度范围(T_J): -55°C至+150°C - 封装类型: TO-220 - 引脚数量: 3个
上述参数确保DMP2035U-7适合高负载需求的应用,如车载电源和高功率LED驱动。在设计中最大限度地降低导通损耗,有助于提升系统的整体能效。
制造商信息
DMP2035U-7由DMB Technology制造。该公司在功率半导体领域享有较高的声誉,以其高可靠性和创新设计赢得了市场的广泛认可。DMB Technology专注于提供多种类型的MOSFET和其他功率器件,致力于帮助客户在各类应用中提升能效与性能。
封装与包装
DMP2035U-7的封装为TO-220型,这种封装形式适用于高功率应用,因其具有良好的散热性能。TO-220的内部结构设计有助于在工作时将产生的热量快速传导出去,这对于延长芯片的寿命至关重要。
通常,DMP2035U-7的包装可以是单个芯片或以多颗芯片为单位的散装形式。针对不同客户的需求,DMB Technology也提供了不同的包装选项以便于运输和储存。
引脚和电路图说明
DMP2035U-7的引脚配置如下:
- 引脚1(源极 S): 连接到电源的负极或地。 - 引脚2(栅极 G): 控制MOSFET开关状态的引脚。 - 引脚3(漏极 D): 连接到负载或电源的正极。
在电路图中,DMP2035U-7通常被用作开关器件,以实现直流电源的开关控制。当栅极电压高于一定阈值时(通常为2-4V),MOSFET导通,漏源之间形成低阻抗通道,从而允许电流流动。关闭栅极电压后,MOSFET切断电流流动,实现电路的控制。
使用案例
DMP2035U-7在多个使用案例中展示了其优异的性能。以下是几个实际应用的示例:
1. 开关电源(SMPS):在开关电源设计中,DMP2035U-7用作主开关元件。其高导通电流和低导通电阻特性使得开关损耗降至最低,从而提升整体能效,满足高频率的开关需求。
2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,DMP2035U-7可以有效地控制电流。通过PWM信号改变栅极电压,能够精确调节电机转速,实现在驱动电机时的高效能。
3. LED驱动:在高功率LED驱动应用中,DMP2035U-7能够提供稳定的电流输出。由于它的高电流承载能力,适合用于大功率LED照明,能够增强照明效果并延长LED的寿命。
4. 电源分配网络(PDN):在复杂的电源分配网络中,DMP2035U-7作为负载开关,能够实现对不同模块的有效管理。当特定模块处于待机状态时,DMP2035U-7切断电源,降低系统待机功耗。
通过这些例子,可以看出DMP2035U-7的应用范围是非常广泛的,其高效能特性使其适合于各种现代电子设备的设计和开发。
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型号: | DMP2035U-7 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
IHS 制造商: | DIODES INC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.56 |
Samacsys Confidence: | 4 |
Samacsys Status: | Released |
2D Presentation: | https://componentsearchengine.com/2D/0T/441083.2.3.png |
Schematic Symbol: | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=441083 |
PCB Footprint: | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=441083 |
3D View: | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=441083 |
Samacsys PartID: | 441083 |
Samacsys Image: | https://componentsearchengine.com/Images/9/DMP2035U-7.jpg |
Samacsys Thumbnail Image: | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/DMP2035U-7.jpg |
Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (P-Channel) |
Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) |
Samacsys Footprint Name: | SOT23 |
Samacsys Released Date: | 2017-11-29 23:52:06 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.81 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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