芯片DMP3098LSD的概述
DMP3098LSD是一个高效、低电压功率MOSFET,广泛应用于大功率开关电源转换器、电机驱动、电源管理和其他需要频繁开关的电路。该芯片基于先进的半导体技术,具有出色的导通电阻和开关速度,使其在高频和高效应用中表现出色。DMP3098LSD是双极性MOSFET的一种,具有较高的耐压能力和优良的热稳定性,适合在苛刻的工作环境中使用。
芯片DMP3098LSD的详细参数
DMP3098LSD具有多项关键技术参数,使其适用于各种电源应用。以下是其一些主要参数:
1. 导通电阻 (Rds(on)): DMP3098LSD在条件下的导通电阻通常在0.015Ω到0.025Ω之间,这意味着在工作时会产生较低的热量。 2. 最大漏极源极电压 (Vds): 该芯片的最大漏极源极电压可达到30V,适合多种电源配置。
3. 最大漏极电流 (Id): DMP3098LSD的最大漏极电流可达到98A,使其能处理高功率应用。
4. 输入栅极电压 (Vgs): 输入栅极电压范围广,通常为±20V,这便于与多种控制电路兼容。
5. 工作温度范围: DMP3098LSD的工作温度范围一般在-55°C到+150°C,确保在不同环境下运作稳定。
芯片DMP3098LSD的厂家、包装、封装
DMP3098LSD的厂家为DMP Semiconductor,是一家专注于开发高效能功率器件的企业,致力于为客户提供优质的产品和服务。该芯片采用不同的封装形式,以适应各种应用需求,主要包括:
- TO-220封装:这种封装形式广泛使用于需要散热器的应用,便于安装和散热。 - DPAK封装:体积小,适合空间受限的应用,具有良好的散热特性。 - SMD/SMT封装:适用于自动化贴装,有助于提高生产效率。
芯片DMP3098LSD的引脚和电路图说明
DMP3098LSD通常由如下引脚组成:
1. 栅极引脚 (Gate): 用于控制MOSFET的开关状态,通过控制栅极电压来同时控制MOSFET的导通与断开。 2. 漏极引脚 (Drain): 连接负载,MOSFET的输出端,与电源及负载相对连接。
3. 源极引脚 (Source): 连接地线或负载的另一端,电流从漏极流向源极。
以下是简化的电路图示例,展示了DMP3098LSD的连接方式:
+Vcc | Drain | ----- | | --------| |------ Load | | ----- | Source | GND
芯片DMP3098LSD的使用案例
在电源管理应用中,DMP3098LSD可以被用作DC-DC转换器的开关组件。DC-DC转换器是一种能够将一个直流电源电压转换为另一个直流电压的电路,非常适合在移动设备、电动工具和其它电力驱动设备中使用。
使用案例1:开关电源
在典型的开关电源设计中,DMP3098LSD作为开关元件,进行频繁的导通与断开以控制输出电压。设计者通常会将其置于PWM控制电路中,同时选择适当的驱动器来提供足够的栅极电压,从而提高开关效率。
使用案例2:电机驱动器
在电机驱动应用中,DMP3098LSD可用作H桥电路中的开关器件,通过改变栅极信号的极性来控制电机的转动方向和速度。采用PWM来调速时,DMP3098LSD能够以高速开关,达到高效的速度控制。
使用案例3:LED驱动
为了实现高效能的LED驱动,DMP3098LSD也可被集成到LED驱动电路中。通过使用PWM控制栅极,能够调节LED的亮度,同时减少功耗,提高整体系统的效率。
其他应用领域
除了上述案例,DMP3098LSD还可以在其它多种应用中展现出良好的性能,例如:
- 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,DMP3098LSD可以作为关键开关器件,以实现有效的能量转换。 - 电池管理系统: 在电池管理系统中,DMP3098LSD也能用于充电和放电控制,提高电池的使用效率。
以上应用展示了DMP3098LSD在现代电子设备中不可或缺的角色,其优良的性能为多种电子应用提供了支持。
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型号: | DMP3099L-13 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 23 weeks |
风险等级: | 1.63 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.8 A |
最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.08 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 11 A |
参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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