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  • DMT35M7LFV-7图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量36218 
  • 厂家DIODES-美台 
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  • DMT35M7LFV-7图
  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 数量29500 
  • 厂家Diodes Incorporated 
  • 封装MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 
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DMT35M7LFV-7产品参数
型号:DMT35M7LFV-7
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:22 weeks
风险等级:5.72
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:0.005 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):534 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-F5
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.98 W
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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