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| 型号: | DP8409AD |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, |
| 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 |
| 地址总线宽度： | 18 |
| 边界扫描： | NO |
| 外部数据总线宽度： | |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 低功率模式： | NO |
| 内存组织： | 256K X 1 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 区块数量： | 4 |
| 端子数量： | 48 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压： | 5.25 V |
| 最小供电电压： | 4.75 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches： | 1 |
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