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| 型号: | DS1200N |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 125 ns |
| 其他特性： | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T10 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 10 |
| 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP10,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0025 A |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.006 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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