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DS1230Y-200IND产品参数
型号:DS1230Y-200IND
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:MODULE
包装说明:0.740 INCH, DIP-28
针数:28
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68
Is Samacsys:N
最长访问时间:200 ns
JESD-30 代码:R-XDMA-P28
JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1
端子数量:28
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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