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DS1258AB产品参数
型号:DS1258AB
生命周期:Transferred
IHS 制造商:DALLAS SEMICONDUCTOR
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75
最长访问时间:70 ns
其他特性:10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码:R-PDIP-T40
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:40
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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