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| 型号: | DS55462J-8 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 |
| 驱动器位数： | 2 |
| 输入特性： | GATED |
| 接口集成电路类型： | AND GATE BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | OPEN-COLLECTOR |
| 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Peripheral Drivers |
| 最大压摆率： | 76 mA |
| 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.05 µs |
| 接通时间： | 0.065 µs |
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