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DST857BDJ-7产品参数
型号:DST857BDJ-7
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-F6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:1.75
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:S-PDSO-F6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):340 MHz
Base Number Matches:1
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