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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 封装无铅正品 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市积美福电子科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家ROHM/罗姆 
  • 封装SOT323 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家ROHM 
  • 封装UMT3(SOT-323)(SC-70) 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 原厂指定分销商,有意请来电或QQ洽谈
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 封装SOT-323(SC-70) 
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  • 全新原装 正品保障
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8800 
  • 厂家ROHM/罗姆 
  • 封装SOT323 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 深圳市恒佳微电子有限公司

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  • 批号23+ 
  • 全新原装进口现货
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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 封装SOT323 
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市赛矽电子有限公司

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产品型号DTA114EUAT106的概述

DTA114EUAT106芯片的概述 DTA114EUAT106是一种N通道增强型MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于低功耗电子设备的开关电路和线性调节器中。该芯片采用了先进的半导体工艺,使其具备良好的导通性能和高效的功率管理能力。DTA114EUAT106特别适用于小信号开关,尤其是移动设备和手持式电子产品,能够在许多个工业和消费者电子领域中展现出可靠的表现。 芯片的主要功能是控制电流的流动,通常作为开关使用。通过有效的电流控制,DTA114EUAT106在负载、驱动、调节电流等多个应用中发挥着重要作用。在现代电子设计中,对于功耗、体积、热量的管理需求日益增加,而DTA114EUAT106正好满足了这种需求。 DTA114EUAT106的详细参数 DTA114EUAT106的关键参数包括: 1. 最大漏极源极电压 (V_DS): 60V 2. 最大导通电流 (I_D): 0.25...

产品型号DTA114EUAT106的Datasheet PDF文件预览

DTA114E series  
Datasheet  
PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)  
Outline  
VMT3  
EMT3F  
UMT3F  
SMT3  
Parameter  
VCC  
Value  
50V  
100mA  
10k  
OUT  
OUT  
IN  
GN  
IN  
IC(MAX.)  
R1  
GN  
DTA114EM  
(SC-105AA)  
DTA114EEB  
(SC-89)  
R2  
10k  
EMT3  
OUT  
OUT  
Features  
1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k.  
IN  
IN  
GND  
GN  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see equivalent circuit).  
DTA114EUB  
(SC-85)  
DTA114EE  
SOT-416 (SC-75A)  
UMT3  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors  
with complete isolation to allow negative biasing  
of the input. They also have the advantage of  
completely eliminating parasitic effects.  
OUT  
OUT  
IN  
IN  
GND  
GND  
4) Only the on/off conditions need to be set for  
operation, making the circuit design easy.  
DTA114EKA  
SOT-346 (SC-59)  
DTA114EUA  
SOT-323 (SC-70)  
5) Complementary NPN Types Available.(DTC114E series)  
6) Complex transistors :EMB11/ UMB11N/ IMB11A/  
UMA9N/ FMA9A PNP type)  
Inner circuit  
OUT  
R1  
IN  
7) Lead Free/RoHS Compliant.  
R2  
Application  
GND(+)  
Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit,  
Driver circuit  
OUT  
IN  
GND(+)  
Packaging specifications  
Package  
Taping  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
size  
Marking  
code  
(mm)  
(mm)  
(mm)  
DTA114EM  
VMT3  
EMT3F  
EMT3  
1212  
1616  
1616  
2021  
2021  
2928  
T2L  
TL  
180  
180  
180  
180  
180  
180  
8
8
8
8
8
8
8,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
14  
14  
14  
14  
14  
14  
DTA114EEB  
DTA114EE  
TL  
DTA114EUB  
DTA114EUA  
DTA114EKA  
UMT3F  
UMT3  
SMT3  
TL  
T106  
T146  
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Data Sheet  
DTA114E series  
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)  
Parameter  
Symbol  
VCC  
VIN  
Values  
50  
Unit  
V
Supply voltage  
Input voltage  
V
40 to 10  
50  
IO  
mA  
mA  
Output current  
Collector current  
*1  
IC(MAX.)  
100  
DTA114EM  
DTA114EEB  
DTA114EE  
Power dissipation  
150  
200  
mW  
mW  
*2  
PD  
DTA114EUB  
DTA114EUA  
DTA114EKA  
Tj  
150  
Junction temperature  
C  
C  
Tstg  
Range of storage temperature  
55 to 150  
Electrical characteristics(Ta = 25C)  
Parameter  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
VCC = 5V, IO = 100μA  
VO = 0.3V, IO = 10mA  
IO / II = 10mA / 0.5mA  
VI = 5V  
-
3  
-
-
0.5  
-
Input voltage  
-
Output voltage  
Input current  
V
mA  
A  
-
0.1  
0.3  
0.88  
0.5  
-
-
-
-
IO(off)  
GI  
VCC = 50V, VI = 0V  
VO = 5V, IO = 5mA  
-
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
-
20  
7
-
R1  
10  
1
13  
k  
-
R2/R1  
-
0.8  
1.2  
VCE = 10V, IE = 5mA,  
f = 100MHz  
*1  
Transition frequency  
-
250  
-
MHz  
fT  
*1 Characteristics of built-in transistor  
*2 Each terminal mounted on a reference footprint  
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DTA114E series  
Electrical characteristic curves(Ta = 25°C)  
Fig.2 Output current vs. input voltage  
(OFF characteristics)  
Fig.1 Input voltage vs. output current  
(ON characteristics)  
100  
10m  
5m  
V
cc = −5V  
VO = −0.3V  
50  
2m  
20  
10  
5  
1m  
500µ  
T
a
= 40oC  
25oC  
100oC  
200µ  
T
a
= 100oC  
25oC  
40oC  
100µ  
50µ  
2  
1  
20µ  
10µ  
5µ  
500m  
200m  
100m  
2µ  
1µ  
100µ −200µ −500µ −1m 2m  
5m 10m 20m  
50m 100m  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
INPUT VOLTAGE : VI(off)[V]  
OUTPUT CURRENT : IO [A]  
Fig.3 Output current vs. output voltage  
Fig.4 DC current gain vs. output current  
-50  
-40  
-30  
-20  
-10  
0
1k  
II=  
Ta=25ºC  
V = −5V  
O
500  
Ta  
= 100oC  
25oC  
40oC  
300μA  
280μA  
260μA  
240μA  
200  
100  
50  
220μA  
200μA  
20  
10  
180μA  
160μA  
140μA  
120μA  
100μA  
5
2
1
0A  
100µ −200µ −500µ −1m 2m  
5m 10m 20m 50m 100m  
0
-5  
-10  
OUTPUT CURRENT : IO [A]  
OUTPUT VOLTAGE : VO [V]  
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Electrical characteristic curves(Ta = 25°C)  
Fig.5 Output voltage vs. output current  
1  
I
O
/II  
= 20  
Ta  
= 100oC  
25oC  
40oC  
500m  
200m  
100m  
50m  
20m  
10m  
5m  
2m  
1m  
100µ −200µ −500µ −1m 2m  
5m 10m 20m  
50m 100m  
OUTPUT CURRENT : IO [A]  
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DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
D
c
A
VMT3  
b1  
e
b
x
S A  
b3  
S
e
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
MIN  
INCHES  
DIM  
MAX  
0.55  
0.10  
0.27  
0.37  
0.18  
1.30  
0.90  
MIN  
0.018  
0
0.007  
0.011  
0.003  
0.043  
0.028  
MAX  
0.022  
0.004  
0.011  
0.015  
0.007  
0.051  
0.035  
A
A1  
b
b1  
c
0.45  
0.00  
0.17  
0.27  
0.08  
1.10  
0.70  
D
E
0.40  
0.02  
e
H
L
Lp  
x
1.10  
0.10  
0.20  
-
1.30  
0.30  
0.40  
0.10  
0.043  
0.004  
0.008  
-
0.051  
-
-
E
0.004  
MILIMETERS  
MAX  
INCHES  
0.03  
DIM  
MIN  
MIN  
MAX  
0.80  
e1  
b2  
b3  
l1  
-
-
-
0.37  
0.47  
0.50  
-
-
-
0.015  
0.019  
0.02  
Dimension in mm/inches  
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DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
EMT3F  
D
A
b
c
x
S A  
e
e
S
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
INCHES  
DIM  
MIN  
0.65  
0.00  
0.60  
0.21  
0.08  
1.50  
0.76  
MAX  
0.85  
0.10  
0.80  
0.36  
0.18  
1.70  
0.96  
MIN  
MAX  
A
A1  
A2  
b
c
D
0
0.004  
0.031  
0.014  
0.007  
0.067  
0.038  
0.024  
0.008  
0.003  
0.059  
0.03  
E
0.50  
0.37  
0.02  
e
HE  
L
1.50  
1.70  
0.059  
0.067  
0.015  
Lp  
x
0.35  
-
0.55  
0.10  
0.014  
-
0.022  
0.004  
MILIMETERS  
MAX  
INCHES  
DIM  
MIN  
-
-
MIN  
-
-
MAX  
0.041  
0.018  
0.026  
e1  
b2  
l1  
1.05  
0.46  
0.65  
-
-
Dimension in mm/inches  
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DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
D
A
EMT3  
b1  
c
Q
A3  
b3  
e
b
x
S A  
S
e
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
INCHES  
DIM  
MIN  
0.60  
0.00  
MAX  
0.80  
0.10  
MIN  
0.024  
0
MAX  
0.031  
0.004  
A
A1  
A3  
b
b1  
c
D
E
e
0.25  
0.50  
0.01  
0.02  
0.15  
0.25  
0.10  
1.50  
0.70  
0.30  
0.40  
0.20  
1.70  
0.90  
0.006  
0.01  
0.004  
0.059  
0.028  
0.012  
0.016  
0.008  
0.067  
0.035  
H
1.40  
0.10  
0.15  
0.05  
-
1.80  
-
-
0.25  
0.10  
0.055  
0.004  
0.006  
0.002  
-
0.071  
-
-
0.01  
0.004  
E
L1  
Lp  
Q
x
MILIMETERS  
MAX  
INCHES  
0.04  
DIM  
MIN  
MIN  
MAX  
1.10  
e1  
b2  
b3  
l1  
-
-
-
0.40  
0.50  
0.70  
-
-
-
0.016  
0.02  
0.028  
Dimension in mm/inches  
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Data Sheet  
DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
UMT3F  
D
A
e
b
c
x
S A  
e
S
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
MIN  
INCHES  
DIM  
MAX  
1.05  
0.10  
1.00  
0.42  
0.18  
2.10  
1.35  
MIN  
0.033  
0
0.031  
0.011  
0.003  
0.075  
0.045  
MAX  
0.041  
0.004  
0.039  
0.017  
0.007  
0.083  
0.053  
A
A1  
A2  
b
c
D
0.85  
0.00  
0.80  
0.27  
0.08  
1.90  
1.15  
E
0.65  
0.03  
0.02  
e
HE  
L
2.00  
2.20  
0.079  
0.087  
0.425  
Lp  
x
0.43  
-
0.63  
0.10  
0.017  
-
0.025  
0.004  
MILIMETERS  
MAX  
1.47  
INCHES  
0.058  
DIM  
MIN  
MIN  
MAX  
e1  
b2  
l1  
-
-
0.52  
0.83  
-
-
0.02  
0.033  
Dimension in mm/inches  
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Data Sheet  
DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
UMT3  
D
A
c
Q
A3  
e
b
x
S A  
e
S
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
MIN  
0.80  
0.00  
INCHES  
DIM  
MAX  
1.00  
0.10  
MIN  
0.031  
0
MAX  
0.039  
0.004  
A
A1  
A3  
b
c
D
0.25  
0.65  
0.01  
0.15  
0.10  
1.90  
1.15  
0.30  
0.20  
2.10  
1.35  
0.006  
0.004  
0.075  
0.045  
0.012  
0.008  
0.083  
0.053  
E
e
0.03  
HE  
L1  
Lp  
Q
2.00  
0.20  
0.25  
0.10  
-
2.20  
0.50  
0.55  
0.30  
0.10  
0.079  
0.008  
0.01  
0.004  
-
0.087  
0.02  
0.022  
0.012  
0.004  
x
MILIMETERS  
MAX  
1.55  
INCHES  
0.06  
DIM  
MIN  
MIN  
MAX  
e1  
b2  
l1  
-
-
0.50  
0.65  
-
-
0.02  
0.026  
Dimension in mm/inches  
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DTA114E series  
Dimensions (Unit : mm)  
D
SMT3  
A
c
Q
A3  
e
b
x
S A  
e
S
b2  
Patterm of terminal position areas  
MILIMETERS  
MIN  
1.00  
0.00  
INCHES  
DIM  
MAX  
1.30  
0.10  
MIN  
-
0
MAX  
0.051  
0.004  
A
A1  
A3  
b
c
D
0.25  
0.95  
0.01  
0.35  
0.09  
2.80  
1.50  
0.50  
0.25  
3.00  
1.80  
0.014  
0.004  
0.11  
0.02  
0.01  
0.118  
0.071  
E
e
0.059  
0.04  
H
2.60  
0.30  
0.40  
0.20  
-
3.00  
0.60  
0.70  
0.30  
0.10  
0.10  
0.102  
0.012  
0.016  
0.008  
-
0.118  
0.024  
0.028  
0.012  
0.004  
0.004  
E
L1  
Lp  
Q
x
y
-
-
MILIMETERS  
MAX  
2.10  
INCHES  
0.08  
DIM  
MIN  
MIN  
MAX  
e1  
b2  
l1  
0.60  
0.90  
-
-
0.024  
0.035  
-
Dimension in mm/inches  
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N o t e s  
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be taken into account when designing circuits for mass production.  
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However, should you incur any damage arising from any inaccuracy or misprint of such  
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R1120A  
配单直通车
DTA114EUAT106产品参数
型号:DTA114EUAT106
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:6.92
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:892982
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:EMT3F
Samacsys Released Date:2017-12-05 12:37:11
Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):68
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signals
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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