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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • DTC114YKA-TP
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  • DTC114YKA-TP图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • DTC114YKA-TP
  • 数量18800 
  • 厂家MCC-美微科 
  • 封装SOT-23.贴片 
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  • DTC114YKA-TP图
  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • DTC114YKA-TP
  • 数量5000 
  • 厂家Micro Commercial Co 
  • 封装SOT-23-3L 
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  • 进口原装现货热卖
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产品型号DTC114YKA3的Datasheet PDF文件预览

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
Digital transistors (built-in resistors)  
• Features  
DTC114YKA  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without  
connecting external input resistors (see equivalent circuit).  
2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to allow  
positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
3) Only the on/ off conditions need to be set for operation, making device design  
easy.  
• Structure  
PNP digital transistor (Built-in resistors type)  
•Equivalent circuit  
+
2.9 0.2  
+
1.1 +- 0.2  
0.1  
1.9 0.2  
+
0.95 0.95  
+
0.8 0.1  
(2)  
(1)  
0 ~ 0.1  
R1  
OUT  
IN  
(3)  
R2  
(1) GND  
(2) IN  
GND  
OUT  
0.1  
0.06  
0.15 +-  
0.1  
0.05  
0.4 +-  
(3) OUT  
IN  
All terminals have same dimensions  
GND  
EIAJ: SC— 59  
• Absolute maximum ratings(Ta=25 °C)  
Parameter  
symbol  
limits  
unit  
Supply voltage  
Input voltage  
V
50  
–6~+40  
70  
V
V
cc  
V
IN  
I O  
I C(Max.)  
Pd  
Output current  
mA  
100  
Power dissipation  
200  
mW  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T j  
150  
T stg  
–55~+150  
°C  
Elecrical characteristics(Ta=25°C)  
Parameter  
symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.3  
Unit  
V
Conditions  
V
V CC= 5V, I O=100µA  
V O= 0.3V, I O=1mA  
I O / I I= 5mA/0.25mA  
I(off)  
Input voltage  
V I(on)  
V O(on)  
I I  
1.4  
Output Voltage  
0.1  
0.3  
0.88  
0.5  
V
mA  
µA  
Input current  
V = 5V  
I
Output current  
I O(off)  
G I  
V CC= 50V, V I = 0 V  
DC current gain  
68  
7
V O = 5V,I O= 5mA  
Input resistance  
R 1  
10  
13  
K  
Resistance ratio  
R 2 / R 1  
3.7  
4.7  
250  
5.7  
Transition frequency  
*Transition frequency of the device  
f
MHz  
V CE=10V,I E=– 5 mA,f =100MHz*  
T
P12–1/2  
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
DTC114YKA  
ELECTRICAL CHARACTERISTIC CURVES  
100  
50  
10m  
5m  
V
=
0.3V  
V
CC= 5 V  
O
2m  
20  
1m  
500µ  
10  
5
200µ  
T
A = 100°C  
25°C  
T
A = –40°C  
25°C  
100°C  
–40°C  
2
100µ  
50µ  
20µ  
1
0.5  
0.2  
10µ  
5µ  
2µ  
0.1  
1µ  
100µ 200µ  
500µ 1m  
2m  
5m 10m 20m  
50m 100m  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
OUTPUT CURRENT: I O (A)  
INPUT VOLTAGE: V I(ON) (V)  
Figure 1. Input voltage vs.output current  
(ON characteristics)  
Figure 2. Output current vs.input voltage  
(OFF characteristics)  
1.0  
1K  
I
O / I I = 20  
V
= 5 V  
O
0.5  
0.2  
500  
200  
T
A = 100°C  
25°C  
–40°C  
T
A = 100°C  
25°C  
–40°C  
0.1  
100  
50  
0.05  
0.02  
20  
0.01  
.005  
10  
5
.002  
2
.001  
1
100µ 200µ  
500µ 1m  
2m  
5m 10m 20m  
50m 100m  
100µ 200µ  
500µ 1m  
2m  
5m 10m 20m  
50m 100m  
OUTPUT CURRENT: I O (A)  
OUTPUT CURRENT: I O (A)  
Figure 4. Output voltage vs.output current  
Figure 3. DC current gain vs.output current  
P12–2/2  
配单直通车
DTC114YKAFRAT146产品参数
型号:DTC114YKAFRAT146
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.56
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):68
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1
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