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| 型号: | DXT2012P5-13 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | DIODES INC |
| 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.76 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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