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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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ECH8651R产品参数
型号:ECH8651R
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.35
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.5 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
Base Number Matches:1
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