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配单直通车
EDE1108AESE-6E-F产品参数
型号:EDE1108AESE-6E-F
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA60,9X11,32
针数:60
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):333 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e1
长度:11.5 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:60
字数:134217728 words
字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:128MX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA60,9X11,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.18 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.275 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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