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型号: | EDH816H16C-25CMHR-Z |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | ELECTRONIC DESIGNS INC |
Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T36 |
JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 16 |
端子数量: | 36 |
字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX16 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP36,.1 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.065 A |
最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.44 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO |
技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
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