EFC4612R-TR产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 6A（Ta） 1.6W（Ta） EFCP1313-4CC-037

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：24V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.6W（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：EFCP1313-4CC-037

封装/外壳：4-XFBGA

标准包装：1

其它名称：EFC4612R-TROSCT