EFC4618R-P-TR产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH EFCP1818

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.6W Surface Mount EFCP1313-4CC-037

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：-

功率 - 最大值：1.6W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-XBGA，4-FCBGA

供应商器件封装：EFCP1313-4CC-037

标准包装：5,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）