EGP10J产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

详细描述：标准 通孔 二极管 600V 1A DO-41

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

二极管类型：标准

电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：600V

电流 - 平均整流（Io）：1A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf：1.7V @ 1A

速度：快速恢复 = 200mA（Io）

反向恢复时间（trr）：75ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：5µA @ 600V

不同 Vr，F 时的电容：-

安装类型：通孔

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向

供应商器件封装：DO-41

工作温度 - 结：-65°C ~ 150°C

基本零件编号：EGP10J

标准包装：5,000

其它名称：EGP10J-ND EGP10JTR