EGP30D芯片引脚定义引脚图及功能IC贸易商引脚图技术参数-中国IC网-芯三七

当前位置：IC37首页_>E字母起始型号索引_>E字母起始型号索引第409页更新时间：2024-10-22 15:03:08

产品型号EGP30D的概述

芯片EGP30D概述 EGP30D是一款高性能的功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。其设计侧重于高效能、低导通电阻和快速开关速度，能够在不同环境下提供优异的电流控制与管理能力。EGP30D通常用于直流电机驱动、电源管理以及LED驱动等应用场景，成为很多工程师在电路设计中的首选组件。芯片EGP30D详细参数 EGP30D的技术参数是评估其在具体应用中适用性的重要指标。以下是这款芯片的一些关键技术参数： - 类型：N通道MOSFET - 最大漏极源极电压（Vds）：30V - 最大漏极电流（Id）：30A - 导通电阻（Rds(on)）：典型值为10mΩ - 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在2-4V范围内 - 输入电容（Ciss）：3200pF（频率为1MHz） - 输出电容（Coss）：1000pF（频率为1MHz） - 反向恢复时间（trr）：50ns - ...

产品型号EGP30D的Datasheet PDF文件预览

EGP30A THRU EGP30G

GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER

Forward Voltage - 50 to 400 Volts

Reverse Current - 3.0 Amperes

Case Style GP20

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratories

Flammability Classification 94V-0

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ Superfast recovery time for high efficiency

♦ Low forward voltage,

1.0 (25.4)

MIN.

0.210 (5.3)

high current capability

♦ Low leakage current

0.190 (4.8)

DIA.

♦ High surge current capability

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

♦ High temperature metallurgically bonded construction

♦ High temperature soldering guaranteed:

300°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

1.0 (25.4)

MIN.

0.042 (1.07)

MECHANICAL DATA

Case: Molded plastic over solid glass body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

0.037 (0.94)

DIA.

Dimensions in inches and (millimeters)

Glass-plastic encapsulation technique is covered by

Patent No.3,996,602 and brazed-lead assembly by Patent No. 3,930,306

Weight: 0.03 ounce, 0.8 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

EGP

30A

EGP

30B

EGP

30C

EGP

30D

EGP

30F

EGP

30G

SYMBOLS

V_RRM

V_RMS

V_DC

UNITS

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100

150

105

150

200

140

200

300

210

300

400 Volts

280 Volts

400 Volts

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5mm) lead length at T_A=55°C

I_(AV)

3.0

Amps

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rated load

I_FSM

V_F

125.0

Amps

Volts

Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A

0.95

1.25

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T_A=25°C

T_A=125°C

5.0

100.0

I_R

trr

C_J

µA

Typical reverse recovery time _{(NOTE 1)}

Typical junction capacitance _{(NOTE 2)}

Typical thermal resistance _{(NOTE 3)}

50.0

95.0

75.0

R_ΘJA

R_ΘJL

20.0

8.0

°C/W

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J,T_STG

-65 to +150

NOTES:

(1) Reverse recovery test conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, Irr=0.25A

(2) Measured at 1.0 MH_Zand applied reverse voltage of 4.0 Volts

(3) Thermal resistance from junction to ambient, and from junction to lead at 0.375” (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted

4/98

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES EGP30A THRU EGP30G

FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK

FIG. 1 - MAXIMUM FORWARD CURRENT

FORWARD SURGE CURRENT

DERATING CURVE

175

3.0

2.0

1.0

T =T max.

RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

0.375" (9.5mm) LEAD LENGTH

8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE

(JEDEC Method)

150

125

100

175

100

125

150

AMBIENT TEMPERATURE, °C

NUMBER OF CYCLES AT 60 H_Z

FIG. 4 - TYPICAL REVERSE LEAKAGE

CHARACTERISTICS

FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

100

PULSE WIDTH=300µs

1% DUTY CYCLE

T =150°C

T =125°C

T =150°C

T =25°C

T =75°C

0.1

T =25°C

0.1

0.01

EGP30A - EGP30D

EGP30F & EGP30G

T =25°C

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,

0.001

100

120

VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE

VOLTAGE, %

FIG. 6 - TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

210

180

150

120

100

T =25°C

f=1.0 MH

Vsig=50mVp-p

EGP30A - EGP30D

EGP30F & EGP30G

0.1

0.01

t, PULSE DURATION, sec.

0.1

100

0.1

100

1,000

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

配单直通车

深圳市芯福林电子有限公司服务专线: 13418564337 在线联系:

QQ：2881495808 复制

QQ：308365177 复制

首天国际（深圳）科技有限公司服务专线: 0755-82807802/82807803 在线联系:

QQ：528164397 复制

QQ：1318502189 复制

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司服务专线: 0755-83209937 在线联系:

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

深圳市中利达电子科技有限公司服务专线: 0755-83200645/13686833545 在线联系:

QQ：1902134819 复制

QQ：2881689472 复制

北京元坤伟业科技有限公司服务专线: 010-62104931621064316210489162104791 在线联系:

QQ：857273081 复制

QQ：1594462451 复制

EGP30D产品参数

型号:	EGP30D
生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-27
Reach Compliance Code：	unknown
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：	1
类别：	Diodes
配置：	Single
VRRM (V) max：	200
IF (A) max：	3
VF (V) max：	0.95
Condition1_IF (A)：	3
IFSM (A) max：	125
IR (uA) max：	5
Condition2_VR (V)：	200
trr (ns) max：	50
AEC Qualified：	NO
最高工作温度：	125
最低工作温度：	-55
是否无铅：	否
符合Reach：	YES
符合RoHS：	YES
Package Outlines：	DO-27

电子百科

产品导航

产品型号EGP30D的概述

产品型号EGP30D的Datasheet PDF文件预览

EGP30D相关产品

IC37:专业IC行业平台