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EM6AB160TSE-5G产品参数
型号:EM6AB160TSE-5G
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:ETRON TECHNOLOGY INC
包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.73
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:66
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm
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