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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 杭州赛芯拓电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家EPM 
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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家EMP 
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  • 深圳市世品佳电子有限公司

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  • 绿盛电子(香港)有限公司

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  • 厂家EMP/晶镁 
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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳市巨辉通科技有限公司

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  • 深圳市兴科泰科技有限公司

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  • 数量1654 
  • 厂家EMP 
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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 深圳市柯尔基电子有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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EMD30T2R产品参数和技术文档

EMD30产品图

EMD30T2R产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
8,000
0.10175
$813.96
16,000
0.09277
$1,484.28
24,000
0.08678
$2,082.78
56,000
0.07980
$4,468.80

EMD30T2R产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V,30V

电阻器 - 基底(R1):10 千欧,1 千欧

电阻器 - 发射极基底(R2):10 千欧

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:250MHz,260MHz

功率 - 最大值:150mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:EMT6

基本零件编号:*MD30

标准包装:8,000

其它名称:EMD30T2R-ND EMD30T2RTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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