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EMF32T2R产品参数
型号:EMF32T2R
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:SINGLE WITH BUILT IN BIPOLAR TRANSISTOR AND DIODE
最小直流电流增益 (hFE):100
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):0.1 A
最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3/e2
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:TIN/TIN COPPER
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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