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| 型号: | EN29LV800CB-70BAP |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | EON SILICON SOLUTION INC |
| 包装说明： | LFBGA, |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.74 |
| 最长访问时间： | 70 ns |
| 其他特性： | BOTTOM BOOT SECTOR |
| 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| 长度： | 8 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C |
| 组织： | 512KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 3 V |
| 座面最大高度： | 1.3 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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