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产品型号EP3SE110F1152I2N的概述

EP3SE110F1152I2N 芯片概述 EP3SE110F1152I2N 是由英特尔(Intel)公司设计的一款高性能 FPGA(现场可编程门阵列),属于 Stratix 系列中的一员。FPGA 是一种可编程的半导体芯片,允许设计人员根据具体需求进行硬件功能的定制。EP3SE110F1152I2N 具备强大的并行处理能力和灵活的配置功能,广泛应用于通信、数据中心、工业控制、医疗设备等多个领域。 详细参数 EP3SE110F1152I2N 的主要参数包括: - 逻辑单元数量:112,000 个逻辑单元 - 查找表(LUT):每个逻辑单元包含 4 个输入的 LUT - I/O 引脚数量:大约 60 个可编程 I/O 引脚,支持多种标准协议 - 内存:高达 4.5MB 的嵌入式内存 - DSP 单元:内置 120 个 DSP 单元,支持高效的数字信号处理 - 最大工作频率:可达 250 ...

产品型号EP3SE110F1152I3N的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
EP3SE110F1152I3产品参数
型号:EP3SE110F1152I3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life
包装说明:BGA, BGA1152,34X34,40
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.7.A
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.2
其他特性:IT CAN ALSO OPERATE FROM 1.05 TO 1.15V SUPPLY
最大时钟频率:717 MHz
JESD-30 代码:S-PBGA-B1152
长度:35 mm
输入次数:744
逻辑单元数量:107500
输出次数:744
端子数量:1152
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA
封装等效代码:BGA1152,34X34,40
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
电源:1.2/3.3 V
可编程逻辑类型:FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.9 mm
子类别:Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压:0.94 V
最小供电电压:0.86 V
标称供电电压:0.9 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
端子形式:BALL
端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:35 mm
Base Number Matches:1
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