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| 型号: | EPC2107ENGR |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, S-XXUC-X9 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.32 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-XXUC-X9 |
| 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 9 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3.8 A |
| 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM NITRIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
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