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EPCQ256SI16N产品参数
型号:EPCQ256SI16N
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP16,.4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:7.96
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
数据保留时间-最小值:20
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e4
长度:10.3 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:CONFIGURATION MEMORY
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:16
字数:33554432 words
字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:32MX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP16,.4
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.65 mm
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE
宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1
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