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EPCS1SI8产品参数
型号:EPCS1SI8
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.B.1
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.62
最大时钟频率 (fCLK):40 MHz
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:CONFIGURATION MEMORY
内存宽度:1
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):235
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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