epcs1si8n 的Datasheet文档资料查询

EPCS1SI8N详细参数

是否Rohs认证

符合

生命周期

Transferred

零件包装代码

SOIC

包装说明

LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8

针数

8

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

3A991.B.1.B.1

HTS代码

8542.32.00.51

风险等级

3.67

最大时钟频率 (fCLK)

20 MHz

耐久性

100000 Write/Erase Cycles

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

e4

长度

4.9 mm

内存密度

1048576 bit

内存集成电路类型

CONFIGURATION MEMORY

内存宽度

1

湿度敏感等级

3

功能数量

1

端子数量

8

字数

1048576 words

字数代码

1000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

1MX1

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOP

封装等效代码

SOP8,.25

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

并行/串行

SERIAL

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.75 mm

最大待机电流

0.00005 A

子类别

Flash Memories

最大压摆率

0.015 mA

最大供电电压 (Vsup)

3.6 V

最小供电电压 (Vsup)

3 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

30

类型

NOR TYPE

宽度

3.9 mm

Base Number Matches

1