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ESD7571N2T5G产品参数
型号:ESD7571N2T5G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:R-PBCC-N2
制造商包装代码:714AB
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.55
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压:7 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PBCC-N2
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压:5.3 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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