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| 型号: | ESDL2011PFCT5G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | R-PDSO-N2 |
| 制造商包装代码： | 152AX |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 1.56 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE |
| 最大击穿电压： | 2.3 V |
| 最小击穿电压： | 1.4 V |
| 击穿电压标称值： | 1.65 V |
| 最大钳位电压： | 6 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.313 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2, 4-5 |
| 最大重复峰值反向电压： | 1 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 反向测试电压： | 1 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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