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| 型号: | ESDM3031MXT5G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 包装说明： | R-PBCC-N2 |
| 制造商包装代码： | 152AF |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 1.55 |
| Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/933974.5.5.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=933974 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=933974 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=933974 |
| Samacsys PartID： | 933974 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/ESDM3031MXT5G.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/5/ESDM3031MXT5G.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 2 |
| Samacsys Part Category： | TVS Diode (Bi-directional) |
| Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | ESD8011MUT5G-1 |
| Samacsys Released Date： | 2018-03-16 17:33:16 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE, ULTRA LOW CAPACITANCE |
| 最大击穿电压： | 6.2 V |
| 最小击穿电压： | 4.4 V |
| 最大钳位电压： | 8 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小二极管电容： | 20 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N2 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 参考标准： | IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压： | 3.3 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 反向测试电压： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
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