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FDP027N08B产品参数和技术文档

FDP025N06产品图

FDP027N08B产品参考价格

FDP027N08B产品参数

品牌：
ON Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
详细描述：
通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 246W（Tc） TO-220-3
制造商
ON Semiconductor
系列
PowerTrench®
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
178nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13530pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
246W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
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  • FDP025N06

  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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