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FAIRCHILD FDA20N50
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD FDA20N50
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD FDA20N50
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD FDA20N50
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD FDA20N50_07
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA20N50_0707
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA20N50_12
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA20N50_F109
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500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA20N50F
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N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26ヘ
N沟道MOSFET 500V , 22A , 0.26ヘ
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
FAIRCHILD FDA20N50F_12
中文翻译
N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Ω
N沟道MOSFET 500V , 22A , 0.26Î ©
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FDA20N50详细参数

是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
TO-3P
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
5.34
其他特性
FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)
1110 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
最大漏极电流 (ID)
22 A
最大漏源导通电阻
0.23 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
88 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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